Power semiconductor module, flow path member, and power-semiconductor-module structure

WO2016203884 Art A1 22. Dezember 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016203884
Aktenzeichen: EP16811359
Anmeldetag: 16. Mai 2016
Veröffentlichung: 22. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/07H01L23/473H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von