Wiring pattern manufacturing method, transistor manufacturing method, and transfer member

WO2016204207 Art A1 22. Dezember 2016

Anmelder: Nikon Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016204207
Aktenzeichen: EP16811681
Anmeldetag: 16. Juni 2016
Veröffentlichung: 22. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L29/417H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nikon Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nikon

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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