Memory device having crossbar array structure and manufacturing method therefor

WO2016204420 Art A1 22. Dezember 2016

Anmelder: Korea University Research and Business Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016204420
Aktenzeichen: EP16811833
Anmeldetag: 25. Mai 2016
Veröffentlichung: 22. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea University Research and Business Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

Südkoreanische Einrichtung, die Forschungsprojekte und Technologietransfer der Korea University verwaltet, patentiert Ergebnisse aus universitärer Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin und überführt sie in Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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