Production method for semiconductor device electrode

WO2016208553 Art A1 29. Dezember 2016

Anmelder: Tokyo Institute of Technology, Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016208553
Aktenzeichen: EP16814323
Anmeldetag: 21. Juni 2016
Veröffentlichung: 29. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28C23C14/06C23C14/14C23C14/58H01L21/336H01L29/417H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Institute of Technology
Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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