Techniques to engineer nanoscale patterned features using ions

WO2016209580 Art A1 29. Dezember 2016

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016209580
Aktenzeichen: EP16815014
Anmeldetag: 2. Juni 2016
Veröffentlichung: 29. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L29/06G03F7/20H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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