Gas phase etching system and method

WO2016210301 Art A1 29. Dezember 2016

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2016210301
Aktenzeichen: EP16815405
Anmeldetag: 24. Juni 2016
Veröffentlichung: 29. Dezember 2016
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/311H01L21/3213H01L21/67G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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