Light-emitting semiconductor device including a structured photoluminescent layer
WO2017001760
Art A1
5. Januar 2017
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, BEST 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017001760
- Aktenzeichen
- EP16741358
- Anmeldetag
- 28. Juni 2016
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
BEST - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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