Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

WO2017002268 Art A1 5. Januar 2017

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017002268
Aktenzeichen: EP15897195
Anmeldetag: 2. Juli 2015
Veröffentlichung: 5. Januar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/50H01L21/56H01L23/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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