Semiconductor device substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
WO2017002317
Art A1
5. Januar 2017
Anmelder: Sanken Electric Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017002317
- Aktenzeichen
- EP16817429
- Anmeldetag
- 17. Juni 2016
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/338H01L21/205H01L21/336H01L29/207H01L29/778H01L29/78H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sanken Electric Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sanken Electric
Sanken Electric ist ein japanischer Hersteller von Leistungshalbleitern und elektronischen Bauelementen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente und elektrische Energietechnik, ergänzt durch Schaltungstechnik. Die Titel betreffen unter anderem Siliziumcarbid-Halbleiterbauelemente und deren Herstellung.
289 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.180 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.