Semiconductor device substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
WO2017002317
Art A1
5. Januar 2017
Anmelder: Sanken Electric Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017002317
- Aktenzeichen
- EP16817429
- Anmeldetag
- 17. Juni 2016
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/338H01L21/205H01L21/336H01L29/207H01L29/778H01L29/78H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sanken Electric Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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