Method of simultaneous lithography and etch correction flow

WO2017004312 Art A1 5. Januar 2017

Anmelder: Globalfoundries Inc., Han, Geng, Mansfield, Scott M., Nguyen-ngoc, Dominique, Samuels, Donald J, Viswanathan, Ramya 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017004312
Aktenzeichen: EP16818747
Anmeldetag: 30. Juni 2016
Veröffentlichung: 5. Januar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/70G03F7/20G06F17/50

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Globalfoundries Inc.
Han, Geng
Mansfield, Scott M.
Nguyen-ngoc, Dominique
Samuels, Donald J
Viswanathan, Ramya
Land: 🇰🇾 KY

🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik Software & Datenverarbeitung

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