Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2017006207 Art A1 12. Januar 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017006207
Aktenzeichen: EP16820917
Anmeldetag: 27. Juni 2016
Veröffentlichung: 12. Januar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/08G09F9/00G09F9/30H01L21/28H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von