Dual Mode Iii-V Superlattice Avalanche Photodiode

WO2017007516 Art A1 12. Januar 2017

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017007516
Aktenzeichen: EP16709655
Anmeldetag: 2. März 2016
Veröffentlichung: 12. Januar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0304H01L31/0352H01L31/107

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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