Composite grating medium layer applicable to group iii-v substrate and preparation method thereof

WO2017008293 Art A1 19. Januar 2017

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017008293
Aktenzeichen: EP15898021
Anmeldetag: 16. Juli 2015
Veröffentlichung: 19. Januar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/51H01L21/28H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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