Naturally oxidized film removing method and naturally oxidized film removing device

WO2017010194 Art A1 19. Januar 2017

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Central Glass Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017010194
Aktenzeichen: EP16824174
Anmeldetag: 7. Juni 2016
Veröffentlichung: 19. Januar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/302H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Central Glass Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Central Glass

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.

805 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von