Wide-bandgap semiconductor device production method, wide-bandgap semiconductor wafer, and wide-bandgap semiconductor chip

WO2017010223 Art A1 19. Januar 2017

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017010223
Aktenzeichen
EP16824203
Anmeldetag
16. Juni 2016
Veröffentlichung
19. Januar 2017
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/336G03F7/20H01L21/301H01L29/06H01L29/12H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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