Wide-bandgap semiconductor device production method, wide-bandgap semiconductor wafer, and wide-bandgap semiconductor chip
WO2017010223
Art A1
19. Januar 2017
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017010223
- Aktenzeichen
- EP16824203
- Anmeldetag
- 16. Juni 2016
- Veröffentlichung
- 19. Januar 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336G03F7/20H01L21/301H01L29/06H01L29/12H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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