Sic substrate production method

WO2017017858 Art A1 2. Februar 2017

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017017858
Aktenzeichen: EP15899691
Anmeldetag: 30. Juli 2015
Veröffentlichung: 2. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/205H01L21/268H01L21/324H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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