Silicon single crystal growing device
WO2017017893
Art A1
2. Februar 2017
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017017893
- Aktenzeichen
- EP16830002
- Anmeldetag
- 28. Juni 2016
- Veröffentlichung
- 2. Februar 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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