Crystalline oxide semiconductor thin film, method for producing crystalline oxide semiconductor thin film, and thin film transistor

WO2017017966 Art A1 2. Februar 2017

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017017966
Aktenzeichen: EP16830071
Anmeldetag: 29. Juli 2016
Veröffentlichung: 2. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C01G15/00H01L21/20H01L21/336H01L21/363H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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