Method for manufacturing two-dimensional transition metal dichalcogenide thin film

WO2017018834 Art A1 2. Februar 2017

Anmelder: Korea Research Institute Of Standards And Science 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017018834
Aktenzeichen: EP16830867
Anmeldetag: 28. Juli 2016
Veröffentlichung: 2. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C01B17/20C01G39/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Korea Research Institute Of Standards And Science
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Research Institute of Standards and Science

Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.

452 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

Vertreten von