Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells

WO2017019346 Art A1 2. Februar 2017

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017019346
Aktenzeichen: EP16831049
Anmeldetag: 18. Juli 2016
Veröffentlichung: 2. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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