Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiterbauelements und Nitrid-Halbleiterbauelement

WO2017021301 Art A1 9. Februar 2017

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017021301
Aktenzeichen: EP16747485
Anmeldetag: 29. Juli 2016
Veröffentlichung: 9. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L33/22H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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