Nanowire bending for planar device process on (001) si substrates

WO2017023394 Art A2 9. Februar 2017

Anmelder: STC.UNM 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017023394
Aktenzeichen: EP16833443
Anmeldetag: 13. Mai 2016
Veröffentlichung: 9. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/88B82Y40/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STC.UNM
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Stc.unm

STC.UNM ist die Technologietransfergesellschaft der University of New Mexico in den USA. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik, Pharma-/Biotechnologie und Mess-, Prüf- sowie Halbleitertechnik. Die Anmeldungen von 2001 bis 2020 reichen von Isotopentrennverfahren bis zur elektrischen Impedanzspektroskopie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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