Substrate Contact Etch Process

WO2017024309 Art A1 9. Februar 2017

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017024309
Aktenzeichen: EP16834002
Anmeldetag: 8. August 2016
Veröffentlichung: 9. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/308H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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