Method for manufacturing bottom window at insulation layer of through-silicon via structure and through-silicon via structure

WO2017024675 Art A1 16. Februar 2017

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017024675
Aktenzeichen: EP15900870
Anmeldetag: 23. Oktober 2015
Veröffentlichung: 16. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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