Manufacturing method of semiconductor device

WO2017029576 Art A1 23. Februar 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017029576
Aktenzeichen: EP16836713
Anmeldetag: 8. August 2016
Veröffentlichung: 23. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336C01B21/082C23C16/34G02F1/1368G09F9/00H01L21/28H01L21/318H01L21/8234H01L27/06H01L27/08H01L27/088H01L27/146H01L29/786H01L51/50H05B33/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

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