Integrated Structures Containing Vertically-Stacked Memory Cells

WO2017030651 Art A1 23. Februar 2017

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017030651
Aktenzeichen: EP16837435
Anmeldetag: 17. Juni 2016
Veröffentlichung: 23. Februar 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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