Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2017033102 Art A1 2. März 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017033102
Aktenzeichen: EP16838634
Anmeldetag: 19. August 2016
Veröffentlichung: 2. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368G09F9/00G09F9/30H01L21/28H01L21/336H01L21/8234H01L21/8238H01L21/8242H01L27/06H01L27/08H01L27/088H01L27/092H01L27/105H01L27/108H01L27/115H01L27/146H01L29/417H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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