Guided-wave photodetector apparatus employing mid-bandgap states of semiconductor materials, and fabrication methods for same

WO2017035533 Art A1 2. März 2017

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017035533
Aktenzeichen: EP16840258
Anmeldetag: 29. August 2016
Veröffentlichung: 2. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G01L1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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