Two-Photon-Absorption-Based Silicon Nanowire Photodetector

WO2017036011 Art A1 9. März 2017

Anmelder: Shanghai Jiao Tong University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017036011
Aktenzeichen: EP15902816
Anmeldetag: 24. Dezember 2015
Veröffentlichung: 9. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/105H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shanghai Jiao Tong University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shanghai Jiao Tong University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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