Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device

WO2017037564 Art A1 9. März 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017037564
Aktenzeichen: EP16840912
Anmeldetag: 22. August 2016
Veröffentlichung: 9. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C01G15/00H01L21/363H01L21/365H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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