Method for manufacturing n-type ohmic electrode, and n-type ohmic electrode, n-type electrode, and group-iii-nitride semiconductor light emitting element
WO2017038102
Art A1
9. März 2017
Anmelder: DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017038102
- Aktenzeichen
- EP16841135
- Anmeldetag
- 2. September 2016
- Veröffentlichung
- 9. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/40H01L33/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- DOWA Electronics Materials Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
DOWA Electronics Materials
DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.
471 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.