Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2017038110 Art A1 9. März 2017

Anmelder: Hitachi Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017038110
Aktenzeichen
EP16841143
Anmeldetag
9. Februar 2016
Veröffentlichung
9. März 2017
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/12H05K3/10H05K3/46
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Hitachi Chemical Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

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