Power module, power-module heat-dissipation structure, and power-module junction method
WO2017038460
Art A1
9. März 2017
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017038460
- Aktenzeichen
- EP16841492
- Anmeldetag
- 17. August 2016
- Veröffentlichung
- 9. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/40H01L23/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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