Silicon carbide single crystal, silicon carbide single crystal wafer, silicon carbide single crystal epitaxial wafer, electronic device
WO2017038591
Art A1
9. März 2017
Anmelder: Denso Corporation, Central Research Institute of Electric Power Industry 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017038591
- Aktenzeichen
- EP16841623
- Anmeldetag
- 25. August 2016
- Veröffentlichung
- 9. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C23C14/06C23C16/42H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Denso Corporation
Central Research Institute of Electric Power Industry - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Denso
Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.
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