Techniques To Prevent Film Cracking in Thermally Cured Dielectric Film, And Associated Configurations

WO2017039671 Art A1 9. März 2017

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017039671
Aktenzeichen: EP15903243
Anmeldetag: 3. September 2015
Veröffentlichung: 9. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/28H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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