Memory device with multi-layer channel and charge trapping layer

WO2017039784 Art A1 9. März 2017

Anmelder: Cypress Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017039784
Aktenzeichen: EP16842466
Anmeldetag: 17. Juni 2016
Veröffentlichung: 9. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L29/792H01L21/3205H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cypress Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2020 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Datenspeicherung. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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