Method for fabricating ferroelectric random-access memory on pre-patterned bottom electrode and oxidation barrier

WO2017039854 Art A1 9. März 2017

Anmelder: Cypress Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017039854
Aktenzeichen: EP16842494
Anmeldetag: 18. Juli 2016
Veröffentlichung: 9. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cypress Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2020 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Datenspeicherung. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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