Semiconductor die Substrate With Integral Heat Sink
WO2017040646
Art A1
9. März 2017
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017040646
- Aktenzeichen
- EP16842894
- Anmeldetag
- 31. August 2016
- Veröffentlichung
- 9. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/34H01L21/50H01L21/306
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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