Methods and apparatus for a configurable high-side nmos gate control with improved gate to source voltage regulation

WO2017040651 Art A1 9. März 2017

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017040651
Aktenzeichen: EP16842896
Anmeldetag: 31. August 2016
Veröffentlichung: 9. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G05F1/575

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Steuerungs- & Regelungstechnik

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