Silicon carbide mosfet device and manufacturing method therefor

WO2017041268 Art A1 16. März 2017

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences, Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017041268
Aktenzeichen: EP15903375
Anmeldetag: 10. September 2015
Veröffentlichung: 16. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L21/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

610 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von