Rapid growth of large single-crystal graphene assisted by adjacent oxide substrate
WO2017041401
Art A1
16. März 2017
Anmelder: Peking University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017041401
- Aktenzeichen
- EP16843345
- Anmeldetag
- 26. Mai 2016
- Veröffentlichung
- 16. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/02C30B25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Peking University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Peking University
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