Semiconductor memory device
WO2017043111
Art A1
16. März 2017
Anmelder: TOSHIBA MEMORY CORPORATION, SK Hynix Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017043111
- Aktenzeichen
- EP16843977
- Anmeldetag
- 3. März 2016
- Veröffentlichung
- 16. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/15
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOSHIBA MEMORY CORPORATION
SK Hynix Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
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