Semiconductor memory device

WO2017043111 Art A1 16. März 2017

Anmelder: TOSHIBA MEMORY CORPORATION, SK Hynix Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2017043111
Aktenzeichen
EP16843977
Anmeldetag
3. März 2016
Veröffentlichung
16. März 2017
Rechtsraum
WO
IPC
G11C11/15
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
TOSHIBA MEMORY CORPORATION
SK Hynix Inc.
Land
🇯🇵 Japan
🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

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