Gallium nitride crystal, method for producing same, and crystal growth device

WO2017043411 Art A1 16. März 2017

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017043411
Aktenzeichen: EP16844272
Anmeldetag: 1. September 2016
Veröffentlichung: 16. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/34C30B23/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho

Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho, bekannt als Toyota Central R&D Labs, ist die zentrale Forschungseinrichtung des japanischen Toyota-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Verfahrenstechnik, ergänzt um Werkstoffchemie und Antriebstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

431 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von