Device for annealing trench of vertical silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing vertical silicon carbide semiconductor device, and vertical silicon carbide semiconductor device

WO2017043607 Art A1 16. März 2017

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017043607
Aktenzeichen: EP16844468
Anmeldetag: 8. September 2016
Veröffentlichung: 16. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/3065H01L21/324H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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