Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication
WO2017044154
Art A1
16. März 2017
Anmelder: International Business Machines Corporation, Zeon Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017044154
- Aktenzeichen
- EP16844823
- Anmeldetag
- 24. März 2016
- Veröffentlichung
- 16. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/302H01L21/768H01L21/027H01L21/3065H01L21/31H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- International Business Machines Corporation
Zeon Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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🇯🇵
Zeon
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Zeon Corporation entwickelt synthetische Kautschuke, Spezialchemikalien und Elastomere für Anwendungen in Automobil-, Elektronik- und Batterieindustrie.
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