Tungsten silicide nitride films and methods of formation

WO2017044520 Art A1 16. März 2017

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017044520
Aktenzeichen: EP16844994
Anmeldetag: 8. September 2016
Veröffentlichung: 16. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285H01L21/28H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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