Low-temperature deposition method for vanadium dioxide thin film

WO2017045398 Art A1 23. März 2017

Anmelder: Shenzhen University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017045398
Aktenzeichen: EP16845512
Anmeldetag: 14. April 2016
Veröffentlichung: 23. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/35C23C14/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shenzhen University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen University

Shenzhen University ist eine staatliche Universität in Shenzhen, China, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Elektrotechnik, Materialwissenschaft und Optik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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