Electrode, and manufacturing method for semiconductor device

WO2017046673 Art A1 23. März 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017046673
Aktenzeichen: EP16845796
Anmeldetag: 5. September 2016
Veröffentlichung: 23. März 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L21/768H01L21/8234H01L21/8238H01L21/8242H01L23/522H01L27/06H01L27/08H01L27/088H01L27/092H01L27/105H01L27/108H01L27/115H01L27/146H01L29/423H01L29/49H01L29/786H01L29/788H01L29/792

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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