Dry etching method, method for manufacturing semiconductor element and chamber cleaning method
WO2017047400
Art A1
23. März 2017
Anmelder: Central Glass Company, Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017047400
- Aktenzeichen
- EP16846271
- Anmeldetag
- 2. September 2016
- Veröffentlichung
- 23. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/302
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Central Glass Company, Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Central Glass
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.
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