Method for producing silicon with improved purity
WO2017047798
Art A1
23. März 2017
Anmelder: Kyoto University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017047798
- Aktenzeichen
- EP16846669
- Anmeldetag
- 16. September 2016
- Veröffentlichung
- 23. März 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B33/039
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kyoto University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyoto University
Renommierte japanische Universität mit breiter Grundlagenforschung in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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